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参数资料
| 型号： | FDS7064N7 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 16.5 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | BOTTOMLESS, SO-8 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | FDS7064N7 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS7064SN3 Rev C1 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS7066SN3 | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ |
| FDS7066N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS7066N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS7079ZN3 | TV 29C 29#16 SKT RECP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS7064N7 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POLARITY:NPN |
| FDS7064SN3 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7066ASN3 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7066N3 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7066N7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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