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参数资料
| 型号： | FDS7082N3 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 17.5 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | FLMP, SO-8 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | FDS7082N3 |
FDS7082N3 Rev D1 (W)
Electrical Characteristics
Notes:
1.
R
θ
JA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R
θ
JC
is guaranteed by design while R
θ
CA
is determined by the user's board design.
a)
40°C/W when
mounted on a 1in
2
pad
of 2 oz copper
b)
85°C/W when mounted on
a minimum pad of 2 oz
copper
Scale 1 : 1 on letter size paper
2.
Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS7088SN3 | 30V N-Channel PowerTrench? SyncFET |
| FDS7088N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS7088N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS7096N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS7096N | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS7088N3 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7088N3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS7088N7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7088SN3 | 功能描述:MOSFET 30V N-Chnl PwrTernch SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS7088SN3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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