- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS8449 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS8449 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 7.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8449DKR |
December 2005
FDS8449
40V N-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
These N-Channel MOSFETs are produced using
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process that has been especially tailored to minimize
on-state resistance and yet maintain superior switching
?
7.6 A, 40V
R DS(on) = 29m Ω @ V GS = 10V
R DS(on) = 36m Ω @ V GS = 4.5V
performance.
Application
?
High power handling capability in a widely used
surface mount package
?
?
Inverter
Power Supplies
?
RoHS compliant
D D
D D
D D
D D
5
6
4
3
7
2
S S S
S S G
SO-8
Pin 1 SO-8
S
G
8
1
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
40
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
7.6
A
– Pulsed
50
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
2.5
W
(Note 1b)
1
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1)
50
125
25
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8449
Device
FDS8449
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8449 Rev B(W)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS86106 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC |
| FDS86140 | MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC |
| FDS86141 | MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC |
| FDS86240 | MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-SOIC |
| FDS86242 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8449_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86106 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86140 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86141 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86240 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。