- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS8449 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS8449 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 7.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8449DKR |
Typical Characteristics
10
1000
8
I D = 7.6 A
V DS = 10V
30V
800
f = 1 MHz
V GS = 0 V
6
4
20V
600
400
C iss
C oss
2
0
200
0
C rss
0
4
8
12
16
0
5
10 15 20 25 30
35
40
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100 μ
40
SINGLE PULSE
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
30
1
V GS = 10V
DC
10s
20
R θ JA = 125 C/W
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
o
o
10
0
0.1
1 10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
50
SINGLE PULSE
R θ JA = 125°C/W
100
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
T J = 25 C
40
30
T A = 25°C
o
10
20
10
0
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1 1
10
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Peak
Current.
FDS8449 Rev A(W)
t AV , TIME IN AVANCHE(ms)
Figure 12. Unclamped Inductive Switching
Capability.
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS86106 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC |
| FDS86140 | MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC |
| FDS86141 | MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC |
| FDS86240 | MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-SOIC |
| FDS86242 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8449_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86106 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86140 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86141 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86240 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。