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参数资料
| 型号： | FDS86141 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 934pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS86141DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted.
30
4
25
20
V GS = 7 V
V GS = 10 V
V GS = 6 V
3
V GS = 5 V
V GS = 5.5 V
V GS = 6 V
15
V GS = 5.5 V
2
10
V GS = 5 V
1
V GS = 7 V
5
0
PULSE DURATION = 80 ? s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
PULSE DURATION = 80 ?? s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 10 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
5
10
15
20
25
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
2.0
I D = 7 A
80
PULSE DURATION = 80 ? s
1.8
1.6
V GS = 10 V
60
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 7 A
1.4
40
1.2
1.0
0.8
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs. Junction Temperature
30
PULSE DURATION = 80 ? s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
30
V GS = 0 V
25
20
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
10
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
15
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
T J = -55 o C
0.1
T J = -55 o C
5
0
2
4
6
8
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS86141 ? Rev. C4
3
Figure 6.
Source-to-Drain Diode Forward Voltage
vs. Source Current
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS86240 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86242 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86252 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8638 | 功能描述:MOSFET 40/20V, N Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS86540 | 功能描述:MOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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