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参数资料
| 型号： | FDS8870 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 112nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4615pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8870FSDKR |
Switching Characteristics (V GS = 10V)
t ON
t d(ON)
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
-
-
-
9
86
-
ns
ns
t r
t d(OFF)
t f
t OFF
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 15V, I D = 18A
V GS = 10V, R GS = 3.3 ?
-
-
-
-
48
60
21
-
-
-
-
122
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q RR
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovered Charge
I SD = 18A
I SD = 2.1A
I SD = 18A, dI SD /dt = 100A/ μ s
I SD = 18A, dI SD /dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
37
22
V
V
ns
nC
Notes:
1: Starting T J = 25°C, L = 1mH, I AS = 29A, V DD = 30V, V GS = 10V.
2: R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the
drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ JA is determined by the user’s board design.
a) 50°C/W when mounted on a 1in 2 pad of 2 oz copper.
b) 125°C/W when mounted on a minimum pad.
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8870 Rev. B
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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