- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录427 > FDS8884 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS8884 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 8.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8884DKR |
February 2006
FDS8884
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30V, 8.5A, 23m ?
General Descriptions
This N-Channel MOSFET has been designed specifically
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
r DS(on) and fast switching speed.
DF REE I
A
Features
Max r DS(on) = 23m ? at V GS = 10V, I D = 8.5A
Max r DS( on ) = 30m ? at V GS = 4.5V, I D = 7.5A
Low gate charge
100% R G Tested
RoHS Compliant
D
D
D
D
5
6
4
3
SO-8
S
S
S
G
7
8
2
1
MOSFET Maximum Ratings
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
± 20
Units
V
V
I D
E AS
P D
Drain Current Continuous
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy
Power dissipation
Derate above 25 o C
(Note 1a)
(Note 2)
8.5
40
32
2.5
20
A
A
mJ
W
mW/ o C
T J , T STG
Operating and Storage Temperature
-55 to 150
o
C
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
50
o C/W
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
(Note 1)
25
o
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8884
Device
FDS8884
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8884 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8896 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
| FDS89141 | MOSFET N-CH 100V 3.5A 8SOIC |
| FDS89161LZ | MOSFET N-CH 100V DUAL LL 8SOIC |
| FDS89161 | MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-SOIC |
| FDS8928A | MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8884_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:LINEAR IC |
| FDS8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8896_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8896_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS89141 | 功能描述:MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。