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参数资料
| 型号： | FDS8884 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 8.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8884DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
700
8
600
C iss
6
4
V DD = 10V
V DD = 20V
V DD = 15V
500
400
300
f = 1MHz
V GS = 0V
C oss
200
2
100
C rss
0
0
2
4
6
8
10
0.1
1 10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
9
8
10
STARTING T J = 125 o C
STARTING T J = 25 o C
7
6
5
4
3
2
1
V GS = 4.5V
R θ JA = 50 o C/W
V GS = 10V
1
0.01
0.1 1
10
20
0
25
50
75
100
125
150
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C )
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
100
10
10us
2000
1000
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
------------------------
1
100us
1ms
100
V GS =10V
I = I 25
125
A
OPERATION IN THIS
10ms
LIMITED BY r DS(on)
1s
DC
T A = 25 C
10
10
10
10
10
10
10
10
0.1
0.01
0.1
AREA MAY BE
100ms
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
1 10 100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
1
-5
SINGLE PULSE
-4 -3 -2 -1 0
t, PULSE WIDTH (s)
1
2
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
FDS8884 Rev. A
4
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8896 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8896_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8896_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS89141 | 功能描述:MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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