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参数资料
| 型号： | FDS8884 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 8.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8884DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
40
30
V GS = 10V
V GS = 5.0V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
3.0
2.5
V GS = 3V
V GS = 3.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
20
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V GS = 3.5V
2.0
1.5
V GS = 4.5V
V GS = 4V
10
V GS = 3V
1.0
V GS = 5V
V GS = 10V
0
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
4.0
0.5
5
10
15 20 25 30
35
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
current and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = 8.5A
V GS = 10V
60
55
50
I D = 8.5A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.2
45
40
1.0
0.8
35
30
25
20
T J = 25 o C
T J = 150 o C
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
15
2
4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
40
35
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
40
10
V GS = 0V
30
25
20
15
V DD = 5V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
0.1
T A = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
10
5
T J = -55 o C
0.01
0
1
2 3 4
5
1E-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
FDS8884 Rev. A
3
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward Voltage
vs Source Current
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8896 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8896_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDS89141 | 功能描述:MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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