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参数资料
| 型号： | FDS8882 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 940pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8882DKR |
December 2008
FDS8882
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30 V, 9 A, 20.0 m ?
Features
Max r DS(on) = 20.0 m ? at V GS = 10 V, I D = 9 A
Max r DS(on) = 22.5 m ? at V GS = 4.5 V, I D = 8 A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
and fast switching
High power and current handling capability
Termination is Lead-free and RoHS Compliant
D
General Description
The FDS8882 has been designed to minimize losses in power
conversion application. Advancements in both silicon and
package technologies have been combined to offer the lowest
r DS(on) while maintaining excellent switching performance.
Applications
Notebook System Regulators
DC/DC Converters
D
D
D
5
4
G
D
D
D
6
7
3 S
2 S
SO-8
S
G
D
8
1 S
S
Pin 1
S
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
I D
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Parameter
Ratings
30
±20
9
21
Units
V
V
A
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
32
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
(Note 1b)
2.5
1.0
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
25
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8882
Device
FDS8882
Package
SO8
Reel Size
13 “
Tape Width
12 mm
Quantity
2500 units
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8882 Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8884 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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