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参数资料
| 型号： | FDS8882 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 940pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8882DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
2000
8
6
I D = 9 A
V DD = 10 V
V DD = 15 V
1000
C iss
C oss
4
V DD = 20 V
100
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
3
6
9
12
15
20
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
8
V GS = 10 V
T J = 25 o C
6
V GS = 4.5 V
T J = 100 o C
4
R θ JA = 50 C/W
T J = 125 o C
2
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1000
V GS = 10 V
10
100 us
1 ms
100
SINGLE PULSE
1
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
10 ms
100 ms
1s
10
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
R θ JA = 125 o C/W
10 s
T A = 25 o C
DC
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8882 Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8884 | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS8896_F123 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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