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参数资料
| 型号： | FDS8882 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 940pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8882DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
21
V GS = 10 V
3.0
V GS = 3 V
18
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
2.5
15
V GS = 3.5 V
12
2.0
V GS = 3.5 V
9
V GS = 3 V
1.5
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
6
3
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 10 V
0
0.5
0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
3
6
9
12
15
18
21
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
I D = 9 A
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
50
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
V GS = 10 V
40
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 9 A
1.2
1.0
30
20
T J = 125 o C
0.8
10
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
21
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
30
18
15
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
10
V GS = 0 V
T J = 150 o C
12
9
1
T J = 25 o C
6
3
T J = 150
o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
T J = -55 o C
0
0.01
0
1
2
3
4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8882 Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8884 | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8884 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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