- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375785 > FDS8947A (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDS8947A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 4 A, 30 V, 0.052 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SOIC-8 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | FDS8947A |
!"#$%"&'(%& %)'"%&'!%*$%('((!'&$$%
"'+'%,'*- %& ''.$'-'(
/
0!11 2
23451
23 4511 3 45
1 112
1 3
21 62
$$%+!%
!"'*%("&%%$%%(
7121
1121
21
11 23 2
$2
((
%
1
1112
2
123
1121
2 1
1
2 1
1 1
2
1 2
"
$
$
($
!"#!
$
%
&
'(
)
*
+
!0!$8!#!0!,8
0!,!0
+$!
,-./
,0
"
"
"!
"#!
1+#
!%
!
0
#23
#24
#25
(
(+
#
6%
6
7
'!
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8958A | Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDS8958 | Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8960C | Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS8962C | Dual N & P-Channel Power Trench |
| FDS8978 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8949 | 功能描述:MOSFET 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8949 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FDS8949_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrench? MOSFET |
| FDS8949_F085 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8958 | 功能描述:MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。