- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录428 > FDT86106LZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDT86106LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 108 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 315pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDT86106LZDKR |
January 2013
FDT86106LZ
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100 V, 3.2 A, 108 m Ω
Features
Max r DS(on) = 108 m Ω at V GS = 10 V, I D = 3.2 A
Max r DS(on) = 153 m Ω at V GS = 4.5 V, I D = 2.7 A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package
HBM ESD protection level > 3 KV typical (Note 4)
100% UIL tested
RoHS Compliant
D
S
D
General Description
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using
Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process
that has been special tailored to minimize the on-state resistance
and yet maintain superior switching performance. G-S zener
has been added to enhance ESD voltage level.
Application
DC - DC Conversion
SOT-223
G
MOSFET Maximum Ratings T C = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
100
±20
Units
V
V
I D
E AS
P D
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
3.2
12
12
2.2
1.0
A
mJ
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
12
55
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
86106LZ
Device
FDT86106LZ
Package
SOT-223
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
2500 units
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT86106LZ Rev.C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT86113LZ | MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223 |
| FDT86244 | MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223 |
| FDT86246 | MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223 |
| FDT86256 | MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4 |
| FDU2572 | MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT86113LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT86244 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT86246 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT86256 | 功能描述:MOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT-B3RX-QFN16 | 制造商:FuDaTong 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。