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参数资料
| 型号： | FDT86244 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 128 毫欧 @ 2.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 395pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 2.8 A
V DD = 50 V
1000
C iss
6
4
V DD = 75 V
V DD = 100 V
100
C oss
10
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
1
2
3
4
5
1
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
8
6
6
5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
4
T J
= 25 o C
T J
= 100 o C
4
3
V GS = 6 V
2
2
R θ JC = 12 C/W
T J = 125
o C
1
o
1
0.01
0.1
1
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
20
10
1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 us
1 ms
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
500
100
10
10
10
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 118 o C/W
0.01 T A = 25 o C
0.005
0.1 1
10
100
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
500
10
1
-4
SINGLE PULSE
R θ JA = 118 o C/W
T A = 25 o C
-3 -2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT86244 Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDU2572 | MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT86246 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT86256 | 功能描述:MOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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