- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录428 > FDU6612A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDU6612A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 28/May/2008 |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
10
1000
8
I D = 9.5A
V DS = 10V
20V
800
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C iss
6
4
2
0
15V
600
400
200
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
R θ JA = 96 C/W
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
1ms
10ms
40
SINGLE PULSE
o
T A = 25 o C
100ms
1s
30
1
DC
10s
20
V GS = 10V
0.1
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 C/W
0.01
o
T A = 25 o C
10
0
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
D = 0.5
R θ JA = 96 C/W
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
P(pk)
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD6612A/FDU6612A Rev. E(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU6688 | MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK |
| FDU7030BL | MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK |
| FDU8778 | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| FDU8782 | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| FDU8796_F071 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU6612A_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6644 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6670AS | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6676AS | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU6676AS_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench SyncFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。