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参数资料
| 型号： | FDU8778 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Dec/2009 |
| 产品目录绘图： | I-PAK, I2PAK Pkg |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 845pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
70
4.0
60
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
3.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
50
V GS = 10V
V GS = 4.0V
3.0
V GS = 3.0V
V GS = 3.5V
40
V GS = 5.0V
V GS = 4.5V
2.5
30
V GS = 3.5V
2.0
V GS = 4V
V GS = 4.5V
20
1.5
10
V GS = 3V
1.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.5
0
10
V GS = 10V V GS = 5V
20 30 40 50
60
70
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
50
1.6
I D = 35A
V GS = 10V
40
I D = 35A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
30
1.2
1.0
20
T J = 175 o C
0.8
10
T J = 25 o C
0.6
-80
-40 0 40 80 120 160
200
0
3.0
4.5 6.0 7.5 9.0
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
70
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
100
60
50
40
30
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 175 o C
V DD = 5V
10
1
0.1
V GS = 0V
T J = 175 o C
T J = 25 o C
20
10
T J = 25 o C
T J = - 55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
5.0
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
FDD8778/FDU8778 Rev. A
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU8782 | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK |
| FDU8796_F071 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU8778-F071 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 25V, 35A, 14mohm |
| FDU8780 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8780_F071 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 25V 35A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8780F071 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25V, 35A, 8.5mOhm |
| FDU8782 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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