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参数资料
| 型号： | FDU8796_F071 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 14/Mar/2011 |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2610pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251AA |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
4000
C iss
8
6
4
V DD = 10V
V DD = 16V
V DD = 13V
1000
C rss
C oss
2
f = 1MHz
V GS = 0V
0
0
10
20 30
Q g , GATE CHARGE(nC)
40
100
0.1
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 7. Gate Charge Characteristics
50
T J = 25 o C
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
100
80
R θ JC = 1.7 C/W
10
T J = 125 o C
T J = 150 o C
60
40
20
o
V GS = 4.5V
V GS = 10V
1
0.01
0.1
1
10
100 300
0
25
50 75 100 125 150
175
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1000
10us
10000
V GS = 10V
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
100
100us
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
175 – T C
10
LIMITED BY
PACKAGE
1ms
1000
I = I 25
-----------------------
150
1
OPERATION IN THIS
SINGLE PULSE
10ms
50 -5
10
10
10
10
10
10
0.1
1
AREA MAY BE T J = MAX RATED DC
LIMITED BY r DS(on) T C = 25 o C
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
40
100
10
SINGLE PULSE
-4 -3 -2 -1
t, PULSE WIDTH (s)
0
1
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDD8796/FDU8796 Rev. B
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU8870 | MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK |
| FDU8874 | MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK |
| FDU8876 | MOSFET N-CH 30V 73A I-PAK |
| FDU8878 | MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK |
| FDU8882 | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8874 | 功能描述:MOSFET 30V 116A 5.1OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8876 | 功能描述:MOSFET 30V 73A 8.2 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8878_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm |
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