- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录428 > FDU8796_F071 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 35A IPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDU8796_F071 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 14/Mar/2011 |
| 标准包装： | 1,800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2610pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251AA |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.01
NOTES:
t 1
t 2
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
FDD8796/FDU8796 Rev. B
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDU8870 | MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK |
| FDU8874 | MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK |
| FDU8876 | MOSFET N-CH 30V 73A I-PAK |
| FDU8878 | MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK |
| FDU8882 | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDU8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8874 | 功能描述:MOSFET 30V 116A 5.1OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8876 | 功能描述:MOSFET 30V 73A 8.2 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDU8878_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。