型号: | FDU8882 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 35 A, 30 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
封装: | IPAK-3 |
文件页数: | 11/12页 |
文件大小: | 277K |
代理商: | FDU8882 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDD8882 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDD8882_NL | N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDU8882_NL | N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDU8896 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDD8896 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDU8882_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDU8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDU8896_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
FDU8896_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDUE0630-H-R24M=P3 | 制造商:TOKO Inc 功能描述: |