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参数资料
| 型号： | FDY100PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-523F, SC89-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 446mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-89，SOT-490 |
| 供应商设备封装： | SC-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDY100PZDKR |
January 2006
FDY100PZ
Single P-Channel (– 2.5V) Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
This Single P-Channel MOSFET has been designed
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power
Trench process to optimize the R DS(ON) @ V GS = – 2.5v.
Applications
? Li-Ion Battery Pack
1S
Features
? – 350 mA, – 20 V R DS(ON) = 1.2 ? @ V GS = – 4.5 V
R DS(ON) = 1.6 ? @ V GS = – 2.5 V
? ESD protection diode (note 3)
? RoHS Compliant
D
Absolute Maximum Ratings
G
T A =25 o C unless otherwise noted
G
S
1
2
3
D
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
– 20
± 8
Unit
s
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a) 1a)
– 350
mA
– Pulsed
– 1000
P D
Power Dissipation (Steady State)
(Note 1a) 1a)
625
mW
(Note 1b) 1b)
446
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature
Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a) 1a)
(Note 1b) 1b)
200
280
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
A
Device
FDY100PZ
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDY100PZ Rev A
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY101PZ | MOSFET P-CH 20V 150MA SC-89 |
| FDY102PZ | MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 |
| FDY2000PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F |
| FDY3000NZ | MOSFET N-CH DUAL SC89 |
| FDY300NZ | MOSFET N-CH 20V 600MA SC89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDY101PZ | 功能描述:MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY102PZ | 功能描述:MOSFET -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2000PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2001PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY3000NZ | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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