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参数资料
| 型号： | FDY100PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-523F, SC89-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 446mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-89，SOT-490 |
| 供应商设备封装： | SC-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDY100PZDKR |
Typical Characteristics
1
2.6
V GS = -4.5V
-2.5V
V
V GS =-1.8V
0.8
-4.0V
-3.0V
2.2
0.6
-2.0V
1.8
-2.0V
0.4
- 1.8V
1.4
-2.5V
-3.0V
0.2
1
-3.5V
-4.0V
-4.5V
0
0.6
0
0.5 1 1.5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2
0
0.2
0.4 0.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
0.8
1
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
I D = -0.35A
V GS = -4.5V
2
1.75
I D = -0.175A
1.5
1.2
1.25
1
0.8
0.6
1
0.75
0.5
0.25
T A = 25 o C
T A = 125 o C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
0
2 4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
1
0.8
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = -5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1
V GS = 0V
0.1
0.6
0.01
0.4
0.2
T A = 125 o C
-55 o C
0.001
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
25 o C
0
0.0001
0.5
1 1.5 2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
2.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 5. Transfer Characteristics.
FDY100PZ Rev A
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY101PZ | MOSFET P-CH 20V 150MA SC-89 |
| FDY102PZ | MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 |
| FDY2000PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F |
| FDY3000NZ | MOSFET N-CH DUAL SC89 |
| FDY300NZ | MOSFET N-CH 20V 600MA SC89 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDY101PZ | 功能描述:MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY102PZ | 功能描述:MOSFET -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2000PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY2001PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY3000NZ | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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