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参数资料
| 型号： | FDY2000PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 446mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563F |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDY2000PZDKR |
Dimensional Outline and Pad Layout
1.20 BSC
(0.20)
6
1
1.70
1.50
4
3
0.30
0.15
1.70
1.55
0.50
1.25
0.30
0.55
0.50
1.80
0.50
1.00
LAND PATTERN RECOMMENDATION
0.20 BSC
0.60
0.56
0.35 BSC
SEE DETAIL A
0.10
0.00
DETAIL A
SCALE 2 : 1
0.18
0.10
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
A) THIS PACKAGE CONFORMS TO EIAJ
SC89 PACKAGING STANDARD.
B) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C) DIMENSIONS ARE EXCLUSIVE OF BURRS,
MOLD FLASH, AND TIE BAR EXTRUSIONS.
FDY200PZ Rev A
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY3000NZ | MOSFET N-CH DUAL SC89 |
| FDY300NZ | MOSFET N-CH 20V 600MA SC89 |
| FDY301NZ | MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89 |
| FDY302NZ | MOSFET N-CH 20V SC-89-3 |
| FDY4000CZ | MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDY2001PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY3000NZ | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY3000NZ_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDY3001NZ | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY300NZ | 功能描述:MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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