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参数资料
| 型号： | FDY300NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 600MA SC89 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-523F, SC89-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 446mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-89，SOT-490 |
| 供应商设备封装： | SC-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDY300NZDKR |
Typical Characteristics
1
V GS = 4.5V
3.0V
2.6
0.8
3.5V
2.5V
2.4
2.2
V GS = 2.0V
0.6
0.4
2.0V
2
1.8
1.6
1.4
2.5V
0.2
0
1.2
1
0.8
3.0V
3.5V
4.5V
0
0.25
0.5
0.75
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = 600mA
V GS = 4.5V
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.9
I D = 300mA
0.8
1.4
0.7
1.2
1
0.6
0.5
T A = 125 o C
0.4
0.8
0.3
T A = 25 o C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.2
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
1.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
1
T A = -55 C
V DS = 5V
o
25 o C
V GS = 0V
1.2
0.9
125 o C
0.1
T A = 125 o C
0.6
0.3
0.01
0.001
25 o C
-55 o C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
FDY300NZ Rev B
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDY301NZ | MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89 |
| FDY302NZ | MOSFET N-CH 20V SC-89-3 |
| FDY4000CZ | MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6 |
| FDZ1905PZ | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP |
| FDZ191P | MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDY300NZ_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDY301NZ | 功能描述:MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY302NZ | 功能描述:MOSFET 20V Sgl N-Ch 2.5V Spec PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY4000CZ | 功能描述:MOSFET SC89-6 COMP NCH & PCH POWER T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDY4001CZ | 功能描述:MOSFET SC89-6 COMP NCH & PCH POWER T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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