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参数资料
| 型号： | FDZ299P |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | LED, RT ANGLE, BLUE, SM |
| 中文描述： | 4.6 A, 20 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ULTRA THIN, BGA-9 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | FDZ299P |
FDZ299P Rev C6 (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-3.0V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
V
GS
= -4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0
2
4
6
8
10
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.0V
-3.5V
-3.0V
-4.5V
-2.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -4.6A
V
GS
= -4.5V
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0.18
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -2.3A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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