参数资料
型号: FFB20UP30DNTM
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 564K
描述: DIODE ULT FAST 20A 300V D2-PAK
产品目录绘图: Fast Diode Circuit
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.3V @ 10A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 300V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 20A
电压 - (Vr)(最大): 300V
反向恢复时间(trr): 45ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 标准包装
产品目录页面: 1614 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FFB20UP30DNTMDKR
1
www.fairchildsemi.com
?2006 Fairchild Semiconductor
Cor
poration
FFB20UP30DN Rev.C1
FFB20UP30DN
Ultrafast
Dual
Diode
FFB20UP30DN
20 A, 300 V, Ultrafast Dual Diode
Features
?
Ultrafast Recovery, trr
= 45 ns (@ I
F
= 10 A)
?
Max Forward Voltage, VF
= 1.3 V (@ T
C
= 25°C)
?
Reverse Voltage : VRRM
= 300 V
?
Avalanche Energy Rated
Applications
?
General Purpose
?
SMPS,Welder
?
Free-Wheeling Diode for Motor Application
?
Power Switching Circuits
Absolute Maximum Ratings
TC
= 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Package Marking and Ordering Information
Symbol
Parameter
Ratings
Unit
VRRM
Peak Repetitive Reverse Voltage
300
V
VRWM
Working Peak Reverse Voltage
300
V
VR
DC Blocking Voltage
300
V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current
Rating for each diode IF(AV)/2 @ TC
= 130
°C
20
A
IFSM
Non-repetitive Peak Surge Current
60Hz Single Half-Sine Wave
180
A
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature
- 65 to +150
°C
Symbol
Parameter
Ratings
Unit
RθJC
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case
2.0
°C/W
1. Anode 2. Cathode 3. Anode
1
2
3
1.Anode 2.Cathode 3.Anode
1
TO-263AB/D2-PAK
November 2013
The FFB20UP30DN is an ultrafast dual diode with low forward
voltage drop and rugged UIS capability. This device is intended
for use as freewheeling and clamping diodes in a variety of
switching power supplies and other power switching applications.
It is specially suited for use in switching power supplies and
industrial applicationa as welder application.
?
RoHS Compliant
Description
Part Number Top Mark Package Packing Method Reel Size Tape Width Quantity
FFB20UP30DNTM
F20UP30DN
D2-PAK
Reel
13" Dia
N/A
800
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
FFB20UP30DNTPTM 功能描述:整流器 Ultrafast Rcvry Pwr Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
FFB2222A 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FFB2222A_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
FFB2227A 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FFB2227A_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2