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参数资料
| 型号： | FFB20UP30DNTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 564K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 20A 300V D2-PAK |
| 产品目录绘图： | Fast Diode Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1614 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FFB20UP30DNTMDKR |
5
www.fairchildsemi.com
FFB20UP30DN
—
Ultrafast
Dual
Diode
?2006 Fairchild Semiconductor
Cor
poration
FFB20UP30DN Rev.C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FFH30US30DN | DIODE DUAL 300V TO-247 |
| FFP20UP20DNTU | DIODE PWR ULT FAST 200V TO-220 |
| FFP30U60DNTU | DIODE ULT FAST 600V 30A TO-220 |
| FFPF12UP20DNTU | DIODE PWR ULT FAST 200V TO-220F |
| FFPF20UA60DN | DIODE 600V 10A TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FFB20UP30DNTPTM | 功能描述:整流器 Ultrafast Rcvry Pwr Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| FFB2222A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB2222A_1 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier |
| FFB2227A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FFB2227A_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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