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参数资料
| 型号： | FGAF40N60UFD |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Ultrafast IGBT |
| 中文描述： | 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | LEAD FREE, TO-3PF, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 583K |
| 代理商： | FGAF40N60UFD |
FGAF40N60UFD Rev. A
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
0.1
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
Vcc = 300V
Load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
Tc = 100
℃
Powe Dissipation = 24W
L
Frequency [kHz]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
40
80
120
160
12V
15V
20V
V
GE
= 10V
Common Emitter
Tc = 25
℃
C
c
Collector-Emitter Voltage,V
CE
(V)
1
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.5
Common Emitter
V
=15V
Tc= 25
℃
Tc= 125
℃
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
(V)
0
30
60
90
120
150
0
1
2
3
4
20A
Ic=10A
40A
Common Emitter
Vge=15V
Case Temperature, T
C
[
℃
]
C
C
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
40A
20A
I
C
= 10A
Common Emitter
T
C
= 25
℃
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
C
C
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
20A
40A
Ic=10A
Common Emitter
T
C
= 125
℃
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
Fig 3. Saturation Voltage vs.
Case Temperature at Variant Current Level
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGC4000BX-90DS | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FGAF40N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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