- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录430 > FGH20N60SFDTU (Fairchild Semiconductor)IGBT 600V 40A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FGH20N60SFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 40A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 165W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
Figure 14. Turn-on Characteristics vs.
Collector Current
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
1000
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 20A
o
o
t d(off)
200
100
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
o
o
100
t r
t f
10
t d(on)
10
0
10
20
30
40
50
60
3
0
10
20
30
40
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 15. Turn-off Characteristics vs.
Collector Current
Collector Current, I C [A]
Figure 16. Switching Loss vs.
Gate Resistance
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
300
100
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
o
o
t d(off)
3
1
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 20A
o
o
E on
t f
E off
10
0
10 20 30
Collector Current, I C [A]
40
0.1
0
10
20 30 40
Gate Resistance, R G [ ? ]
50
60
Figure 17. Switching Loss vs.
Collector Current
Figure 18. Turn off Switching
SOA Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
10
1
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 ?
o
o
E on
80
10
E off
0.1
V GE = 15V, T C = 125 C
0.02
0
10
20
30
40
1
1
Safe Operating Area
o
10
100
1000
Collector Current, I C [A]
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH20N60SFD Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH20N60UFDTU | IGBT 600V 40A TO-247 |
| FGH25N120FTDS | IGBT 1200V 25A FIELD STOP TO-247 |
| FGH30N60LSDTU | IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247 |
| FGH40N60SFDTU | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| FGH40N60SFTU | IGBT 600V 80A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH20N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 20A Field Stop IGBT |
| FGH20N60UFD_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 20A Field Stop IGBT |
| FGH20N60UFD_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600 V, 20 A Field Stop IGBT |
| FGH20N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH20N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl N-Ch 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。