- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录430 > FGH25N120FTDS (Fairchild Semiconductor)IGBT 1200V 25A FIELD STOP TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FGH25N120FTDS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 25A FIELD STOP TO-247 |
| 标准包装： | 300 |
| IGBT 类型： | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 功率 - 最大： | 313W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
November 2013
FGH25N120FTDS
1200 V, 25 A Field Stop Trench IGBT
Features
? High Speed Switching
? Low Saturation Voltage: V CE(sat) = 1.60 V @ I C = 25 A
? High Input Impedance
? RoHS Compliant
Applications
General Description
Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V
trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching
application such as solar inverter, UPS, welder and PFC appli-
cations.
? Solar Inverter, UPS, Welder, PFC
C
G
G
C
E
TO-247
E
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
1200
± 25
Unit
V
V
@ T C = 100 C
I C
I CM (1)
I F
I FM
P D
T J
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
@ T C = 25 o C
o
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
50
25
75
50
25
75
313
125
-55 to +150
A
A
A
A
A
A
W
W
o C
T stg
Storage Temperature Range
-55 to +150
o
C
T L
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
300
o C
Notes:
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
R ? JC (IGBT)
R ? JC (Diode)
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Case
-
-
0.4
1.25
o
o
C / W
C / W
R ? JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
-
40
o C / W
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH25N120FTDS Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH30N60LSDTU | IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247 |
| FGH40N60SFDTU | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| FGH40N60SFTU | IGBT 600V 80A TO-247 |
| FGH40N60SMDF | IGBT 600V 40A TO-247 |
| FGH40N60SMD | IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH25T120SMD_F155 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:1200V 25A FS2 TRENCH IGBT - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 1200V 25A FS2 TO-247-3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 1200V 50A 428W TO247-3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / 1200V 25A FS2 Trench IGBT |
| FGH30N120FTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Field stop trench technology |
| FGH30N120FTDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-CH/1200V 30A FS Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH30N60LSD | 功能描述:IGBT 晶体管 1.1V 30A High Speed RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH30N60LSDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 PDD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。