参数资料
型号: FGH40N65UFDTU
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IGBT 80A 650V TO-247
产品目录绘图: IGBT TO-247 Package
标准包装: 150
IGBT 类型: 场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 650V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,40A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 80A
功率 - 最大: 290W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
产品目录页面: 1610 (CN2011-ZH PDF)
Typical Performance Characteristics
T J = 125 C
Figure 19. Forward Characteristics
80
Figure 20. Reverse Current
200
100
o
T J = 125 C
T J = 25 C
T J = 75 C
T J = 75 C
10
o
o
o
10
1
o
T C = 25 C
T C = 75 C
T J = 25 C
1
o
o
0.1
o
T C = 125 C
o
0.2
0
1 2 3
4
0.01
50
200 400
600
Forward Voltage, V F [V]
Figure 21. Stored Charge
100
Reverse Voltage, V R [V]
Figure 22. Reverse Recovery Time
60
80
200A/ ? s
50
di F /dt = 100A/ ? s
60
200A/ ? s
40
di F /dt = 100A/ ? s
40
20
5
10
20 30
40
30
5
10
20 30
40
Forward Current, I F [A]
Forward Current, I F [A]
Figure 23.Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
single pulse
P DM
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH40N65UFD Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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