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参数资料
| 型号： | FGL60N100BNTD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FGL60N100BNTD-ND FGL60N100BNTDFS |
March 2014
FGL60N100BNTD
1000 V, 60 A NPT Trench IGBT
Features
? High Speed Switching
? Low Saturation Voltage: V CE(sat) = 2.5 V @ I C = 60 A
? High Input Impedance
? Built-in Fast Recovery Diode
Applications
General Description
Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT
technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction
and switching performances, high avalanche ruggedness and
easy parallel operation. This device offers the optimum perfor-
mance for hard switching application such as UPS, welder
applications.
? UPS, Welder
C
G
G C E
TO-264 3L
E
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CES
V GES
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Ratings
1000
? 25
Unit
V
V
@ T C = 25 C
I C
I CM (1)
I F
P D
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Diode Continuous Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
@ T C = 25 o C
@ T C = 100 o C
o
@ T C = 100 o C
60
42
200
15
180
72
A
A
A
A
W
W
T J
T stg
T L
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
-55 to +150
300
o
o
o
C
C
C
Notes:
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Ratings
Unit
R ? JC (IGBT)
R ? JC (Diode)
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Case
0.69
2.08
o
o
C / W
C / W
R ? JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
25
o C / W
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N100BNTD Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR93-122BJ | SWITCH ROCKER SPST 12A 125V |
| RJS125 | RHEOSTAT 125 OHM 50W |
| MR93-224B3 | SWITCH ROCKER DPST 12A 125V |
| MR93-222B3 | SWITCH ROCKER DPST 12A 125V |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGL60N100BNTDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGL60N100D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N100DTU | 功能描述:IGBT 晶体管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGL60N170D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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