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参数资料
| 型号： | FGL60N100BNTD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FGL60N100BNTD-ND FGL60N100BNTDFS |
Mechanical Dimensions
Figure 18. TO-264 3L - 3LD; TO264; MOLDED; JEDEC VARIATION AA
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?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N100BNTD Rev. C2
6
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR93-122BJ | SWITCH ROCKER SPST 12A 125V |
| RJS125 | RHEOSTAT 125 OHM 50W |
| MR93-224B3 | SWITCH ROCKER DPST 12A 125V |
| MR93-222B3 | SWITCH ROCKER DPST 12A 125V |
| FXO-LC726-240 | OSC 240 MHZ 2.5V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGL60N100BNTDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGL60N100D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N100DTU | 功能描述:IGBT 晶体管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGL60N170D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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