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参数资料
| 型号： | FGL60N100BNTD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 1000V 60A TO-264 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 25 |
| IGBT 类型： | NPT 和沟道 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FGL60N100BNTD-ND FGL60N100BNTDFS |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
Top Mark
Package Packing Method
Reel Size
Tape Width
Quantity
FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD
TO-264
Tube
N/A
N/A
30
Electrical Characteristics of the IGBT
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV CES
Collector to Emitter Breakdown Voltage V GE = 0 V, I C = 1 mA
1000
-
-
V
I CES
I GES
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V CE = V CES , V GE = 0 V
V GE = V GES , V CE = 0 V
-
-
-
-
1
±500
mA
nA
On Characteristics
V GE(th)
V CE(sat)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter Saturation Voltage
I C = 60 mA, V CE = V GE
I C =10 A , V GE = 15 V
I C = 60 A , V GE = 15 V,
4.0
-
-
5.0
1.5
2.5
7.0
1.8
2.9
V
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
C oes
C res
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 10 V , V GE = 0 V,
f = 1MHz
-
-
-
6000
260
200
-
-
-
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q ge
Q gc
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Emitter Charge
Gate to Collector Charge
V CC = 600 V, I C = 60 A,
R G = 51 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 25 o C
V CE = 600 V, I C = 60 A,
V GE = 15 V, T C = 25 o C
-
-
-
-
-
-
-
140
320
630
130
275
45
95
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Electrical Characteristics of the Diode
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V FM
t rr
I R
Parameter
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Instantaneous
Test Conditions
I F = 15 A
I F = 60 A
I F = 60 A, di/dt = 20 A/us
V RRM = 1000 V
Min.
-
-
-
-
Typ.
1.2
1.8
1.2
0.05
Max
1.7
2.1
1.5
2.0
Unit
V
V
us
uA
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N100BNTD Rev. C2
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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