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参数资料
| 型号： | FJD5304DTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TRANS SWITCHING FAST HV DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, D2PAK Package |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 400V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）： | 1.5V @ 500mA，2.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 100µA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： | 8 @ 2A，5V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FJD5304DTFDKR |
FJD5304D
—
Hig
h
V
o
lt
age
F
ast
Switching
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A1
1
July 2010
FJD5304D
High Voltage Fast Switching Transistor
Features
Built-in Free Wheeling Diode
Wide Safe Operating Area
Small Variance in Storage Time
Suitable for Electronic Ballast Application
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW = 300
s, Duty Cycle = 2% Pulsed
Thermal Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted
** Device mounted on minimum pad size.
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
700
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
400
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
12
V
IC
Collector Current (DC)
4
A
ICP
* Collector Current (Pulse)
8
A
IB
Base Current (DC)
2
A
IBP
* Base Current (Pulse)
4
A
PC
Collector Dissipation
Tc = 25°C
Ta = 25°C
30
1.25
W
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
-55 to 150
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
Rθja
Thermal Resistance Junction-Ambient **
99
°C/W
C
B
E
Equivalent Circuit
1. Base 2. Collector 3. Emitter
D-PAK
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-J0Z-EZ | CONVERTER MOD DC/DC 2V 10W |
| AT-S-26-4/4/B-7-R | MOD CORD STANDARD 4-4 BLACK 7' |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FJD5304DTM | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5553 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5553TM | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5555TM | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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