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参数资料
| 型号： | FJD5304DTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TRANS SWITCHING FAST HV DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, D2PAK Package |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 400V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）： | 1.5V @ 500mA，2.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 100µA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： | 8 @ 2A，5V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FJD5304DTFDKR |
FJD5304D
—
Hig
h
V
o
lt
age
F
ast
Switching
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A1
3
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Resistive Load Switching Time
Figure 6. Forward Biased Safe Operating Area
0
246
8
10
12
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I
B=300mA
I
B=150mA
I
B=100mA
I C
[A],
CO
L
E
CT
OR
CURR
E
N
T
V
CE [V]. COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
I
B=50mA
0.01
0.1
1
10
1
10
100
T
C= - 25
oC
T
C=25
oC
h
FE
,DC
CURRENT
G
A
IN
I
C [A], COLLECTOR CURRENT
T
C=125
oC
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
T
C= - 25
oC
T
C=25
oC
T
C=125
oC
V
CE
(sat)
[V],
S
ATURAT
IO
N
VO
LT
AG
E
I
C [A], COLLECTOR CURRENT
I
C = 5 IB
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C= - 25
oC
T
C=25
oC
T
C=125
oC
V
BE
(sat)
[V],
S
ATURAT
IO
N
VO
LT
AG
E
I
C [A], COLLECTOR CURRENT
I
C = 5 IB
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
F
t ST
G
&
t F
[
s],
S
W
IT
CHING
TI
ME
I
C [A], COLLECTOR CURRENT
V
CC=250V
I
C= 5 IB1= - 5 IB2
t
STG
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1s
10s
Pulse I
C_MAX
I C
[
A
],
CO
LL
ECT
O
R
CURRE
N
T
V
CE [V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
T
C = 25
oC
Single Pulse
DC I
C_MAX
1ms
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PDF描述 |
|---|---|
| VI-J0Z-EZ | CONVERTER MOD DC/DC 2V 10W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FJD5304DTM | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5553 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5553TM | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5555TM | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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