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参数资料
| 型号： | FJD5304DTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TRANS SWITCHING FAST HV DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, D2PAK Package |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 400V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）： | 1.5V @ 500mA，2.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 100µA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： | 8 @ 2A，5V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FJD5304DTFDKR |
FJD5304D
—
Hig
h
V
o
lt
age
F
ast
Switching
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A1
2
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
J5304D
FJD5304DTM
D-PAK
13” Dia
-
2500
J5304D
FJD5304DTF
D-PAK
13” Dia
-
2000
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max. Units
BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 1mA, IE = 0
700
V
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 5mA, IB = 0
400
V
BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 1mA, IC = 0
12
V
ICES
Collector Cut-off Current
VCB = 700V, IE = 0
100
A
ICEO
Collector Cut-off Current
VCB = 400V, IB = 0
250
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 12V, IC = 0
1
mA
hFE
DC Current Gain
VCE = 5V, IC = 10mA
VCE = 5V, IC = 2.0A
10
840
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 0.5A, IB = 0.1A
0.7
V
IC = 1.0A, IB = 0.2A
1.0
V
IC = 2.5A, IB = 0.5A
1.5
V
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 0.5A, IB = 0.1A
1.1
V
IC = 1.0A, IB = 0.2A
1.2
V
IC = 2.5A, IB = 0.5A
1.3
V
tSTG
Storage Time
VCLAMP=200V, IC=2.0A,
IB1=0.4A, VBE(off)=-5V, L=200H
0.6
s
tF
Fall Time
0.1
s
tSTG
Storage Time
VCC=250V, IC=2.0A,
IB1=0.4A, IB2=-0.4A, TP=30s
2.9
s
tF
Fall Time
0.2
s
VF
Diode Forward Voltage
IF = 2A
2.5
V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FJD5304DTM | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5553 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5553TM | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5555TM | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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