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参数资料
| 型号： | FMM110-015X2F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET MOD N-CH 150V 53A I4-PAC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 53A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5 |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
FMM110-015X2F
110
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
100
90
80
70
60
50
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
6V
300
250
200
150
V GS = 15V
10V
8V
7V
40
30
100
20
10
0
5V
50
0
6V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
110
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 55A Value
vs. Junction Temperature
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
6V
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
V GS = 10V
I D = 110A
I D = 55A
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 55A Value
vs. Drain Current
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
4.5
4.0
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
110
100
90
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
80
70
60
50
40
30
1.0
0.5
T J = 25oC
20
10
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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