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参数资料
| 型号： | FMM110-015X2F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET MOD N-CH 150V 53A I4-PAC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 53A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5 |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
FMM110-015X2F
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
160
140
180
160
T J = - 40oC
120
100
80
T J = 150oC
25oC
- 40oC
140
120
100
25oC
150oC
80
60
40
20
0
60
40
20
0
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
6.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V GS - Volts
I D - Amperes
350
300
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
9
8
V DS = 75V
I D = 55A
I G = 10mA
Fig. 10. Gate Charge
250
200
150
7
6
5
4
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
10,000
100.0
25μs
Ciss
100μs
1,000
Coss
10.0
1ms
100
Crss
1.0
T J = 175oC
T C = 25oC
100ms
10ms
Single Pulse
10
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS Reserves The Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_110N15T2(61)4-23-09-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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