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参数资料
| 型号： | FMM60-02TF |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET MOD N-CH 200V 33A I4-PAC |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5 |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
Trench Gate HiperFET
N-Channel Power MOSFET
Phase Leg Topology
FMM60-02TF
3 3
T1
5 5
4 4
T2
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr(typ)
= 200V
= 33A
≤ 40m Ω
= 82ns
1 1
2 2
ISOPLUS i4-Pak TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
T J
T JM
T stg
V ISOLD
50/60H Z , RMS, t = 1min, leads-to-tab
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
° C
° C
° C
~V
1
5
Isolated Tab
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
260
° C
° C
F C
Mounting force
20..120 / 4.5..27
N/lb.
Features
Silicon chip on Direct-Copper Bond
Symbol
V DSS
V DGR
V GSM
I D25
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
Maximum Ratings
200
200
± 30
33
150
5
1
10
125
V
V
V
A
A
A
J
V/ns
W
(DCB) substrate
- UL recognized package
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Avalanche rated
Low Q G
Low Drain-to-Tab capacitance
Low package inductance
Advantages
Low gate drive requirement
High power density
Fast intrinsic rectifier
Low drain to ground capacitance
Fast switching
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
C P
d S ,d A
d S ,d A
Weight
Coupling capacitance between shorted
pins and mounting tab in the case
pin - pin
pin - backside metal
1.7
5.5
40
9
pF
mm
mm
g
DC and AC motor drives
UPS, solar and wind power inverters
Synchronous rectifiers
Multi-phase DC to DC converters
Industrial battery chargers
Switching power supplies
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100048(09/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM75-01F | MOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5 |
| FMP26-02P | MOSFET MOD N/P-CH 200V I4-PAC |
| FMP36-015P | MOSFET MOD N/P-CH 150V I4-PAC |
| FMP76-010T | MOSFET MOD N/P-CH 100V I4-PAC |
| FN2TB | LAMP NEON T2 END TYPE WIRE BLUE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMM65-015P | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| FMM6G20US60 | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM6G20US60S | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM6G30US60 | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM6G30US60S | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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