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参数资料
| 型号： | FMM60-02TF |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET MOD N-CH 200V 33A I4-PAC |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5 |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
FMM60-02TF
Symbol Test Conditions 2
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS i4-Pak TM Outline
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
200
V
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0V
2.5
4.5
± 200
V
nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 30A, Note 1
T J = 125 ° C
32
5 μ A
250 μ A
40 m Ω
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V DS = 10V, I D = 60A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 30A
R G = 5 Ω (External)
40
62
3700
520
37
39
46
75
42
90
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10V, V DS = 0.5
V DSS , I D = 30A
33
21
nC
nC
Ref: IXYS CO 0077 R0
R thJC
1.0 ° C/W
R thCS
0.15
° C/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions 3
Characteristic Values
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
I RM
Q RM
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = 60A, V GS = 0V, Note 1
I F = 25A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
82
15.3
0.63
33
150
1.5
A
A
V
ns
A
μ C
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2 %.
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are
derived from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience,
and constitute a "considered reflection" of the anticipated objective result. IXYS reserves the right
to change limits, test conditions, and dimensions without notice.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM75-01F | MOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5 |
| FMP26-02P | MOSFET MOD N/P-CH 200V I4-PAC |
| FMP36-015P | MOSFET MOD N/P-CH 150V I4-PAC |
| FMP76-010T | MOSFET MOD N/P-CH 100V I4-PAC |
| FN2TB | LAMP NEON T2 END TYPE WIRE BLUE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMM65-015P | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| FMM6G20US60 | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM6G20US60S | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM6G30US60 | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FMM6G30US60S | 功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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