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参数资料
型号： FMS6690MTC20X
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 4/11页
文件大小： 0K
描述： IC VIDEO FILTER DRVR 6CH 20TSSOP
标准包装： 1
类型： 视频滤波器
应用： 录音机，机顶盒
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装： 20-TSSOP
包装： 标准包装
产品目录页面： 1214 (CN2011-ZH PDF)
其它名称： FMS6690MTC20XDKR
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FMS6690 Rev. 1.0.3
2
FM
S6690
—
Six
C
h
annel,
6
th
Order,
SD/PS/HD
Video
Filt
er
Driver
Block Diagram
Figure 1. Block Diagram
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PDF描述
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参数描述
FMS6G10US60 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G10US60S 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G15US60 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G15US60S 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G20US60 功能描述:IGBT 模块 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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