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参数资料
型号： FMS6690MTC20X
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 8/11页
文件大小： 0K
描述： IC VIDEO FILTER DRVR 6CH 20TSSOP
标准包装： 1
类型： 视频滤波器
应用： 录音机，机顶盒
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装： 20-TSSOP
包装： 标准包装
产品目录页面： 1214 (CN2011-ZH PDF)
其它名称： FMS6690MTC20XDKR
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FMS6690 Rev. 1.0.3
6
FM
S6690
—
Six
C
h
annel,
6
th
Order,
SD/PS/HD
Video
Filt
er
Driver
Typical Performance Characteristics
Unless otherwise noted TC=25°C, VIN=1VPP, VCC=5V, RSOURCE=37.5, inputs AC coupled with 0.1F, all outputs AC
coupled with 220F into150 loads.
Figure 3. SD Gain vs. Frequency
Figure 4. SD Flatness vs. Frequency
Figure 5. PS Gain vs. Frequency
Figure 6. PS Flatness vs. Frequency
Figure 7. HD Gain vs. Frequency
Figure 8. HD Flatness vs. Frequency
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PDF描述
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参数描述
FMS6G10US60 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G10US60S 功能描述:IGBT 模块 600V 10A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G15US60 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G15US60S 功能描述:IGBT 模块 600V 15A MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMS6G20US60 功能描述:IGBT 模块 IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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