参数资料
型号: FQA36P15
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 30
系列: QFET™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 36A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3320pF @ 25V
功率 - 最大: 294W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3P
包装: 管件
12V
200nF
50K Ω
300nF
Samee Ty ype
as DUT
V GS
Q g
I G = const.
V GS
DUT
V DS
Q gs
Q gd
argee
Charg
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
V DS
R L
t on
t ofofff
R G
V GS
V DD
V GS
10%
on)
t d(on )
t r
t d(ofofff)
t f
V GS
DUT
V DS
90%
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DS S
1
E AS = - --- L I AS 2 --- -------- ---------
------- -------- -----
2 BV DS S - V DD
V DS
L
DSS
DSS
I D
t p
me
Tim
V GS
t p
R G
DUT
V DD
V DD
I AS
BV DSS
I D (t(t))
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA36P15 Rev C1
5
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PDF描述
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