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参数资料
| 型号： | FQA62N25C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 298W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQA62N25C-ND FQA62N25CFS |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQA 62 N2 5 C
Top Mark
FQA62N25C
Package
TO-3PN
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
30 units
= 25 C unless otherwise noted.
Electrical Characteristics T
C
o
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min .
Typ .
Max .
Unit
Off Characteristics
BV DSS Drain-Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
250
--
--
V
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 250 V, V GS = 0 V
V DS = 200 V, T C = 125°C
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V GS = -30 V, V DS = 0 V
--
--
--
--
--
0.28
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
--
4.0
V
R DS(on)
g FS
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V GS = 10 V, I D = 31 A
V DS = 40 V, I D = 31 A
--
--
0.029
55
0.035
--
?
S
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
4830
945
63.5
6280
1230
83
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
t f Turn-Off Fall Time
V DD = 125 V, I D = 62 A,
R G = 25 ?
(Note 4)
--
--
--
--
75
395
245
335
160
800
500
680
ns
ns
ns
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 200 V, I D = 62 A,
V GS = 10 V
(Note 4)
--
--
--
100
25.5
39
130
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
62
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
248
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 62 A
V GS = 0 V, I S = 62 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
340
4.77
1.5
--
--
V
ns
μ C
1. Repetitive rating : pulse-width limited by maximum junction temperature.
2. L = 0.96 mH, I AS = 6 2 A, V DD = 50 V, R G = 25 ? , starting T J = 25 o C.
3. I SD ≤ 6 2 A, di/dt ≤ 3 00 A/μs, V DD ≤ BV DSS , starting T J = 25 o C.
4. Essentially independent of operating temperature.
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA62N25C Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA62N25C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FQA65N06 | 功能描述:MOSFET N-CH/60V/72A/0.016OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA65N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA65N20 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA6N70 | 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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