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参数资料
| 型号： | FQA70N10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 214W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
October 2013
FQA70N10
N-Channel QFET ? MOSFET
100 V, 70 A, 23 m Ω
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to reduce
on-state resistance, and to provide superior switching
performance and high avalanche energy strength. These
devices are suitable for switched mode power supplies,
audio amplifier, DC motor control, and variable switching
power applications.
Features
? 70 A, 100 V, R DS(on) = 23 m Ω (Max) @V GS = 10 V,
I D = 35 A
? Low Gate Charge (Typ. 85 nC)
? Low Crss (Typ. 150 pF)
? 100% Avalanche Tested
? 175 ° C Maximum Junction Temperature Rating
D
G
G
D
S
TO-3PN
S
Absolute Maximum Ratings
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQA70N10
100
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
70
49.5
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
280
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 25
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
1300
70
21.4
6.0
214
1.43
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8 " from case for 5 seconds
-55 to +175
300
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case , Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient , Max.
FQA70N10
0.7
40
Unit
°C / W
°C / W
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA70N10 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA70N15 | MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P |
| FQA7N80C_F109 | MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P |
| FQA8N100C | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P |
| FQA8N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P |
| FQA90N08 | MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA70N10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA70N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA7N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA7N65C | 功能描述:MOSFET N-CH/600V 8.7A/1OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA7N80 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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