- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录431 > FQA62N25C (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQA62N25C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 298W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQA62N25C-ND FQA62N25CFS |
Typical Performance Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10
10
150 C
2
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
2
o
10
10
25 C
-55 C
1
1
o
o
10
10
10
10
10
0
-1
0
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
1
0
2
4
6
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250μ s Pulse Test
8
10
0.15
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
0.12
0.09
0.06
V GS = 10V
2
1
V GS = 20V
150 ℃
0.03
※ Note : T J = 25 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
10
0.00
0
50
100
150
200
250
300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
10000
8000
6000
C iss
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
6
V DS = 50V
V DS = 125V
V DS = 200V
4000
4
2000
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
C rss
2
※ Note : I D = 62A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
20
40
60
80
100
120
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA62N25C Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA65N20 | MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P |
| FQA6N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P |
| FQA70N10 | MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P |
| FQA70N15 | MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P |
| FQA7N80C_F109 | MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA62N25C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FQA65N06 | 功能描述:MOSFET N-CH/60V/72A/0.016OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA65N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA65N20 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA6N70 | 功能描述:MOSFET 700V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。