参数资料
型号: FQA65N20
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 30
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 65A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 32.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7900pF @ 25V
功率 - 最大: 310W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
其它名称: FQA65N20-ND
FQA65N20FS
Typical Characteristics
V GS
10
10
2
Top :
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
2
10
Bottom :
5.5 V
1
150 ℃
25 ℃
10
10
1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
8
10
10
0.15
0.12
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.09
0.06
V GS = 20V
1
10
0.03
※ Note : T J = 25 ℃
0
150 ℃ 25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
50
100
150
200
250
300
350
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
14000
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
12000
10000
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
V DS = 40V
V DS = 100V
V DS = 160V
8000
6000
C oss
6
4000
2000
0
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
0
※ Note : I D = 65 A
10
10
10
-1
0
1
0
2 0
4 0
60
80
100
120
140
160
180
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA65N20 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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