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参数资料
| 型号： | FQA6N90C_F109 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 198W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10
10
150 C
10
25 C
-55 C
1
0
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
o
o
o
10
10
0
-1
※ Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250μs Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
-1
2
4 6
V GS , Gate-Source Voltage [V]
8
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
4.5
10
10
4.0
3.5
3.0
V GS = 10V
V GS = 20V
1
0
2.5
2.0
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μs Pulse Test
10
1.5
0
3
6
9
12
15
18
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2000
1500
1000
500
C iss
C oss
C rss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
12
10
8
6
4
2
V DS = 180V
V DS = 450V
V DS = 720V
※ Note : I D = 6A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA6N90C_F109 Rev C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQA70N10 | MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P |
| FQA70N15 | MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P |
| FQA7N80C_F109 | MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P |
| FQA8N100C | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P |
| FQA8N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQA70N08 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA70N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA70N10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| FQA70N15 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQA7N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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