参数资料
型号: FQB19N20LTM
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
标准包装: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 140 毫欧 @ 10.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V
功率 - 最大: 3.13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 标准包装
产品目录页面: 1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FQB19N20LTMDKR
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQB19N20LTM
Top Mark
FQB19N20L
Package
D 2 -PAK
Packing Method
Tape and Reel
Reel Size
330 mm
Tape Width
24 mm
Quantity
800 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
      
         
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Notes:
1. Repetitive rating : pulse-width limited by maximum junction temperature.
2. L = 0.85 mH, I AS = 21 A, V DD = 50 V, R G = 25 ?, starting T J = 25°C.
3. I SD ≤ 21 A, di/dt ≤ 300 A/ μ s , V DD ≤ BV DSS, starting T J = 25°C.
4. Essentially independent of operating temperature.
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB19N20L Rev. C 1
2
www.fairchildsemi.com
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参数描述
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